|
| メンバー紹介 |
|
研究の興味
|
近年，LSI製造プロセス技術の進歩により，集積回路の動作がますます高速化しています．
一方で，LSIの高速動作が進んでくるとLSIから発生する熱も大きくなり，LSIのみならずその発生した熱が他の電子部品にも大きな影響をおよぼします．
高速動作でかつ熱が発生しないLSIがあれば，世の中のさまざまなところでLSIの応用が期待できます．このような低消費/高速動作LSIの設計を回路レベルからアプローチしようと考えています．
|
|
代表的論文
|
Y. Takahashi, D. Ito, M. Nakamura, A. Tsuchiya, T. Inoue, and K. Kishine, “Low-power and small-area 4-ch 25-Gb/s transimpedance amplifiers in 65-nm CMOS process,”
IEICE Electronics Express, vol. 20, no.18, 20230339 (6 pages), 2023.  (DOIサイト).
Y. Takahashi, D. Ito, M. Nakamura, A. Tsuchiya, T. Inoue, and K. Kishine, “Low-power regulated cascode CMOS transimpedance amplifier with local feedback circuit,” MDPI Electronics, vol. 11, no. 6, 854 (11 pages), March 2022. (DOIサイト).
Y. Takahashi, H. Koyasu, S.D. Kumar, and H. Thapliyal,
“Quasi-adiabatic SRAM based slicon physical unclonable function,” Springer Nature Computer Science, vol. 1, no. 5, 237 (7 pages), Sept. 2020. (DOIサイト).
|
|
|
准教授
