学会・研究会等での発表
発表論文
学会・研究会等での発表

２００５（平成１７）年

　　
  • 薄膜シリコン太陽電池における酸化チタン膜の反射抑制効果（夏原大宗，山田善博，伊藤貴司，吉田憲充，野々村修一，佐藤一夫，府川真）2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, 29p-E-16 (2005). 　　
  • Hot-Wire CVD法による微結晶3C-SiC:H薄膜の光吸収スペクトル評価（國井稔枝，柴垣秀明，本田孝，吉田憲充，野々村修一）2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZG-8 (2005). 　　
  • ホットワイヤーCVD法によるカーボンナノウォールの作製（竹内雅則，島袋誠司，伊藤貴司，野々村修一）2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会, 30a-YF-17 (2005). 　　
  • CN処理によるa-Si太陽電池の光劣化実験 (飯田民夫，吉田憲充，野々村修一)，第19回　東海地区光電気化学研究会 (2005). 　

２００４（平成１６）年

  • 共振型光熱ベンディング分光法と一定光電流法による水素化微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル測定（國井稔枝，柴垣秀明，本田孝，吉田憲充，野々村修一），第31回アモルファス物質の物性と応用セミナー，pp.135-138(2004).
  • A study of the localized stage at 0.7～1.2eV in the μc-Si:H film by resonant-PBS and CPM (T. Kunii, H. Shibagaki, T. Kiriyama, N. Yoshida and S. Nonomura),19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, (2004)
  • Cat-CVD法によるヘテロ構造SiCx合金薄膜の作製とそれを窓層に用いたa-Si:H系薄膜太陽電池の開発 (伊藤貴司，宮崎伸一，水野史教，小川俊輔，水野功一，國井稔枝，夏原大宗，吉田憲充，野々村修一)，第1回Cat-CVD研究会, pp.65-68 (2004). 　　
  • 共振型光熱ベンディング分光法とCPMによる～c-Si:H薄膜の局在準位評価Ⅱ (柴垣秀明，國井稔枝，桐山竜也，森建介，吉田憲充，野々村修一)，2004年(平成16年)春季第51回応用物理学関係連合講演会, 30a-V-8 (2004). 　　
  • a-Si:H薄膜における光誘起体積変化―シアン処理効果(Ⅱ)― (塚本昌弘, 傍島靖, 森邦洋, 石川敦詞, 吉田憲充, 野々村修一)，2004年(平成16年)春季第51回応用物理学関係連合講演会, 30a-V-5 (2004). 　　
  • Cat-CVD法により作製したa-Si:H太陽電池におけるi層の高品質化 (北村　崇，本田和広，西村昌也，杉田　健，竹本和矢，山口　豊，外山祐一，山本敏晴，宮崎伸一，江口元崇，原野智和，菅野　剛，吉田憲充，増田　淳，伊藤貴司，外山利彦，野々村修一，岡本博明，松村英樹)，2004年(平成16年)春季第51回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZT-4 (2004). 　　
  • Cat-CVD法によるp型ヘテロ構造SiCx合金薄膜の作製とそのpin型a-Si:H系薄膜太陽電池の窓層への応用 (宮崎伸一，山本敏晴，江口元嵩，長谷川勇気，竹内雅則，伊藤貴司，吉田憲充，野々村修一)，2004年(平成16年)春季第51回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZT-2 (2004). 　　
  • Preparation of N-doped TiO2 thin films protecting transparent conducting oxide films for Si thin film solar cells (H. Natsuhara, K. Matsumoto, N. Yoshida, T. Itoh, S. Nonoomura, M. Fukawa and K. Sato), 14th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, pp. 307-308 (2004). 　　
  • 1. Amorphous SiCx:H films prepared by Cat-CVD method using C4H10 as a C source gas and its application to window layer for Si thin film solar cell (N. Yoshida, K. Takemoto, Y. Yamaguchi, M. Tsukamoto, K. Chikusa, A. Fukuta, T. Itoh and S. Nonomura), 14th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, pp. 453-454 (2004). 　

２００３（平成１５）年

  • 太陽電池用透明電極保護膜としてのNドープTiO2薄膜の作製 (夏原大宗, 松本清志, 伊藤貴司, 吉田憲充, 野々村修一, 佐藤一夫, 府川真, 青野祐美)，2003年(平成15年)秋季第64回応用物理学会学術講演会, 1p-YH-18 (2003).
  • 共振型光熱ベンディング分光法とCPMによる c-Si:H薄膜の局在準位評価 (國井稔枝，桐山竜也，柴垣秀明，森建介，吉田憲充，野々村修一)，2003年(平成15年)秋季第64回応用物理学会学術講演会, 1a-YE-5 (2003).
  • A change of photoinduced dilation of a-Si:H by cyanide treatment (Y. Sobajima, K. Mori, H.Kamiguchi, N. Yoshida, S. Nonomura and H. Kobayashi), 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Mo-B1/4 (2003).
  • Optical absorption in c-Si:H films induced by oxygen (T. Kunii, T. Kiriyama, K. Mori, N.Yoshida and S. Nonomura), 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 5P-A9-23 (2003).
  • Photoinduced volume changes in doped a-Si:H films (Y. Sobajima, H. Kamiguchi, T. Iida, K. Mori, N.Yoshida and S. Nonomura), 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 5P-A9-01 (2003).
  • a-Si:H薄膜における光誘起体積変化 -シアン処理効果- (森邦洋, 傍島靖, 上口洋輝, 吉田憲充, 野々村修一), 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会, 28p-M-6 (2003).
  • Cat-CVD法によるa-Si1-XCX:Hを窓層に用いた薄膜シリコン系ヘテロ接合型太陽電池の開発(竹本和矢, 山口豊, 千種健司, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会, 30a-M-11 (2003).

２００２（平成１４）年

  • Si系薄膜太陽電池における耐水素ラジカル透明電極保護膜の開発～NbドープTiO2薄膜の基礎特性及びアニール処理効果～ (小川俊輔, 夏原大宗, 大橋崇宏, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 第29回アモルファス物質の物性と応用セミナー, pp.124-126 (2002).
  • Cat-CVD法による太陽電池窓層用p型a-Si1-xCx:H合金薄膜の作製 (福田篤史, 塚本昌弘, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 第29回アモルファス物質の物性と応用セミナー, pp.121-123 (2002).
  • 共振型光熱ベンディング分光法を用いた c-Si:H薄膜の局在準位評価 (國井稔枝, 桐山竜也, 森建介, 吉田憲充, 野々村修一), 第29回アモルファス物質の物性と応用セミナー, pp.118-120 (2002).
  • Cat-CVD法を用いたヘテロ接合型p-i-n太陽電池の作製 (千種健司, 竹本和矢, 伊藤貴司, 吉田憲充, 野々村修一), 第29回アモルファス物質の物性と応用セミナー, pp.115-117 (2002).
  • 新しい耐プラズマ性透明導電膜 ～TiO2の物性とデバイス応用～ (野々村修一, 夏原大宗, 吉田憲充), 第29回アモルファス物質の物性と応用セミナー, pp.59-62 (2002).
  • TiO2被覆透明電極の水素ラジカル耐性と太陽電池への応用 (大橋崇宏, 夏原大宗, 松本清志, 山田亮司, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一),第10回「高効率太陽電池および太陽光発電システム」ワークショップ, pp.110-113 (2002).
  • Cat-CVD法によるp型a-Si1-xCx:H薄膜及びpinヘテロ接合太陽電池の作製 (竹本和矢, 千種健司, 福田篤史, 山口豊, 塚本昌弘, 伊藤貴司, 吉田憲充, 野々村修一), 第10回「高効率太陽電池および太陽光発電システム」ワークショップ, pp.102-105 (2002).
  • a-Si:H薄膜の光誘起体積変化　- ドーピング効果(Ⅲ) - (傍島靖, 上口洋輝,飯田民夫, 森邦洋, 下里尚史, 吉田憲充, 野々村修一), 2002年(平成14年)秋季第63回応用物理学会学術講演会, 26a-ZM-8 (2002).
  • a-Si:H薄膜の光誘起体積変化　- ドーピング効果(Ⅱ) - (上口洋輝, 傍島靖, 下里尚史, 飯田民夫, 吉田憲充, 野々村修一), 2002年(平成14年)秋季第63回応用物理学会学術講演会, 26a-ZM-7 (2002).
  • 共振型光熱ベンディング分光法による c-Si:H薄膜の局在準位評価 (國井稔枝, 桐山竜也, 森建介, 北尾純一, 吉田憲充, 野々村修一), 2002年(平成14年)秋季第63回応用物理学会学術講演会, 26a-ZM-6 (2002).
  • Cat-CVD法による太陽電池窓層用p型a-Si1-xCx:H薄膜の作製 (福田篤史, 塚本昌弘, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 2002年(平成14年)秋季第63回応用物理学会学術講演会, 25a-ZM-7 (2002).
  • Hydrogen-radical durability of TiO2 thin films for protecting transparent conducting oxide for Si thin film solar cells (H. Natsuhara, T. Ohashi, S. Ogawa, N. Yoshida, T. Itoh, S. Nonomura, M. Fukawa and K. Sato), 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, pp.227-230 (2002).
  • Preparation of B-doped a-Si1-xCx:H films and heterojunction p-i-n solar cells by Cat-CVD method (K. Chikusa, K. Takemoto, T. Itoh, N. Yoshida and S. Nonomura), 2nd International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, pp.215-218 (2002).
  • Resonant photothermal bending spectroscopy at variable temperature 25 ~ 150 oC and its application to hydrogenated microcrystalline silicon films (T. Kunii, K. Mori, J. Kitao, N. Yoshida and S. Nonomura), 12th International Conference on Photoacoustic and Photothermal Phenomena, pp.256 (2002).
  • Opical properties of TiO2 thin films estimated by photothermal deflection spectroscopy (S. Ogawa, K. Mori, H. Natsuhara, T. Ohashi, R. Sakakiyama, T. Itoh, N. Yoshida, S. Nonomura, M. Fukawa and K. Sato), 12th International Conference on Photoacoustic and Photothermal Phenomena, pp.252 (2002).
  • 太陽電池における透明電極保護膜用TiO2薄膜の作製(2)～耐水素ラジカル特性～(大橋崇宏, 榊山亮, 夏原大宗, 小川俊輔, 森邦洋, 吉田憲充, 伊藤貴司,野々村修一), 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会, 29a-X-8 (2002).
  • 太陽電池における透明電極保護膜用TiO2薄膜の作製(1)～光学的及び構造的特性～(小川俊輔, 森邦洋, 夏原大宗, 大橋崇宏, 榊山亮, 伊藤貴司, 吉田憲充, 野々村修一), 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会, 29a-X-7 (2002).
  • Cat-CVD法を用いた太陽電池の作製とその評価(千種健司, 井内浩貴, 竹本和矢, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会, 29a-X-5 (2002).
  • Cat-CVD SiC系薄膜特性(野々村修一, 伊藤貴司, 吉田憲充), 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会, 28p-YR-10 (2002).
  • 共振型光熱ベンディング分光法によるmc-Si:H薄膜の光吸収スペクトルのドーピング効果(森健介, 國井稔枝, 吉田憲充, 野々村修一), 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会, 27p-X-1 (2002).
  • a-SiC薄膜の線熱膨張係数(福田篤史, 瀧本功士, 山本善充, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会, 27a-X-11 (2002).
  • a-Si:Hの光誘起体積変化 -ドーピング効果- (上口洋輝, 傍島靖, 飯田民夫, 吉田憲充, 野々村修一), 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会, 27a-X-10 (2002).
  • The fabrication of TiO2 thin films protecting transparent conducting oxide films for solar cells(S. Ogawa, K. Mori, H. Natsuhara, T. Ohashi, R. Sakakiyama, T. Itoh, N. Yoshida, S. Nonomura), The 5th SANKEN International Symposium, P1.18 (2002).

２００１（平成１３）年

  • 高周波マグネトロンスパッタ法により作製したTiO2薄膜の耐水素プラズマ特性(夏原大宗, 大橋崇宏, 小川俊輔, 上口洋輝, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会, 12a-ZA-2 (2001).
  • Coefficients of Linear Expansion in Amorphous and Microcrystalline Si Films (K. Takimoto, A. Fukuta, N. Yoshida, T. Itoh, S. Nonomura), 19th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Tu-P6/12 (2001).
  • A Study of Localized State of c-Si:H by Resonant Photothermal Bending Spectroscopy (S. Nonomura, T. Kunii, Y. Sobajima, J. Kitao, N. Yoshida), 19th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Tu-B1/3 (2001).
  • Photoinduced volume expansion and contraction in a-Si:H films (N. Yoshida, Y. Sobajima, H. Kamiguchi, T. Iida, T. Hatano, H. Mori, Y. Nakae, M. Itoh, A. Masuda, H. Matsumura, S. Nonomura), 19th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Mo-C2/5 (2001).
  • Temperature Dependence of Absorption Coefficient Spectra for c-Si Films by Resonant Photothermal Bending Spectroscopy (T. Kunii, J. Kitao, N. Yoshida, S. Nonomura), 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, pp. 441 (2001).
  • Hot-Wire CVD法を用いたa-Si1-xCx:H薄膜へのドーピング(福永一範, 加藤由明, 藤原崇雄, 伊藤貴司, 野々村修一, 吉田憲充, 仁田昌二), 2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZQ-9 (2001).
  • Hot-Wire CVD法にて作製した c-Si:H薄膜における水素希釈率効果 (近藤浩章, 中村直紀, 大門香穂里, 伊藤貴司, 野々村修一, 吉田憲充), 2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会, 29a-ZQ-6 (2001).
  • 共振光熱ベンディング分光法による c-Si:H薄膜の吸収スペクトル測定 (國井稔枝, 北尾純一, 吉田憲充, 野々村修一), 2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会, 28p-ZL-1 (2001).
  • 太陽電池で発電しよう, 応用物理学会　第7回科学と生活のフェスティバル,平成13年6月23日～24日, 名古屋市科学館.

２０００（平成１２）年

  • Effect of RF-Plasma Assistance in Hot-Wire CVD on Properties of c-Si:H (T. Itoh, H. Inouchi, K. Ohkado, K. Chikusa, N. Nakamura, H. Kondo, N. Yoshida, S. Nonomura), 1st International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, pp. 185-187 (2000).
  • Photoinduced volume change in a-Si:H films prepared by Cat-CVD method (T. Hatano, K. Ohkado, Y. Nakae, H. Mori, N. Yoshida, S. Nonomura, M. Itoh, A. Masuda, H. Matsumura), 1st International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, pp. 69-72 (2000).
  • Hot-Wire CVD法を用いたa-SiC:H薄膜の作製とその物性 (加藤由明, 藤原崇雄, 伊藤貴司, 野々村修一, 吉田憲充, 仁田昌二), 2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会, 3a-ZR-1 (2000).
  • アモルファスシリコン薄膜の線熱膨張係数 (瀧本功士, 福田篤史, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会, 5a-ZQ-8 (2000).
  • c-Si:Hの成長における水素ラジカルの効果 (原田日出国, 井内浩貴, 大橋崇宏, 千種健司, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一), 2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会, 5p-R-2 (2000).
  • Bドープ c-Si:H薄膜における巨大結晶粒の成長 (塚本雅也, 野上真二, 野々村修一, 吉田憲充, 伊藤貴司, 仁田昌二), 2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会, 3p-ZR-6 (2000).
  • Photoinduced effects on infrared and near infrared absorption of amorphous and microcrystalline Si measured by photothermal bending spectroscopy (J. Kitao, Y. Kasuya, T. Kunii, N. Yoshida, S. Nonomura), 11th International Conference on Photoacoustic and Photothermal Phenomena, A-26-p7 (2000).
  • Effect of hydrogen radicals on properties of hydrogen in hydrogenated microcrystalline silicon (T. Itoh, N. Yamana, H. Inouchi, N. Yoshida, H. Harada, H. Kondo, K. Yamamoto, S. Nonomura, S. Nitta), Materials Research Society 2000 Spring Meeting, pp.16 (2000).
  • Increase of hydrogen radical-density and improvement of the crystalline volume fraction of microcrystalline silicon films prepared by hot-wire assisted PECVD method (N. Yoshida, T. Itoh, H. Inouchi, H. Harada, K. Inagaki, N. Yamana, K. Yamamoto, S. Nonomura, S. Nitta), Materials Research Society 2000 Spring Meeting, pp.31 (2000).
  • 異なった作製方法、条件により作製したa-SiC:Hの比較 (加藤由明, 伊藤貴司, 野々村修一, 吉田憲充, 仁田昌二), 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZH-8 (2000).
  • 薄膜シリコン太陽電池用TiO2薄膜の作製 (夏原大宗, 稲山真人, 塚本雅也, 吉田憲充, 野々村修一), 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会, 28p-ZB-14 (2000).
  • c-Si:H薄膜中水素における水素ラジカルの影響 (山名則之, 山本幹太, 原田日出国, 井内浩貴, 稲垣勝彦, 伊藤貴司, 吉田憲充, 野々村修一, 仁田昌二), 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZH-2、(2000).
  • ホットワイヤーアシストPECVD法による c-Si:Hの製膜 (井内浩貴, 原田日出国, 稲垣勝彦, 山本幹太, 山名則之, 吉田憲充, 伊藤貴司, 野々村修一, 仁田昌二), 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会, 31a-ZF-11 (2000).
  • 光熱ベンディング法を用いた a-Si:H における Si-H 伸縮振動吸収の光劣化に関する評価 (粕谷陽介, 北尾純一, 吉田憲充, 野々村修一), 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会, 28p-ZH-15 (2000).
  • Cat-CVD 法により作製した a-Si:H の光誘起体積変化 (破田野貴司, 石橋頼子****, 坂元智成, 岸田鉄平, 水野武志, 吉田憲充, 増田淳****, 伊藤貴司, 野々村修一, 仁田昌二, 松村英樹****, 近藤道雄*, 松田彰久*), 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会, 28p-ZH-14 (2000).
  • a-Si:H における線膨張係数と光誘起体積膨張現象の励起波長依存性 (吉田憲充, 水野武志, 破田野貴司, 岸田鉄平, 坂元智成, 野々村修一, 伊藤貴司, 仁田昌二, 近藤道雄*, 松田彰久*), 2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会, 28p-ZH-13 (2000).
  • 新エネ・アドベンチャー2000　クリーンエネルギーフェスタ,平成12年9月2日～3日, 名古屋市中小企業振興会館吹上ホール.
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発表論文

２００３（平成１５）年

  • Hydrogen-radical durability of TiO2 thin films for protecting transparent conducting oxide for Si thin film solar cells (H. Natsuhara, T. Ohashi, S. Ogawa, N. Yoshida, T. Itoh, S. Nonomura, M. Fukawa and K. Sato), Thin Solid Films, Vol.430, pp.253-256 (2003).
  • Preparation of B-doped a-Si1-xCx:H films and heterojunction p-i-n solar cells by Cat-CVD method (K. Chikusa, K. Takemoto, T. Itoh, N. Yoshida and S. Nonomura), Thin Solid Films, Vol.430, pp.245-248 (2003).
  • Resonant photothermal bending spectroscopy at variable temperature 25 - 150 oC and its application to hydrogenated microcrystalline silicon films (T. Kunii, K. Mori, J. Kitao, N. Yoshida and S. Nonomura), Review of Scientific Instruments, Vol.74, pp.881-883 (2003).
  • Optical properties of TiO2 thin films estimated by photothermal deflection spectroscopy (S. Ogawa, K. Mori, H. Natsuhara, T. Ohashi, R. Sakakiyama, T. Itoh, N. Yoshida, S. Nonomura, M. Fukawa and K. Sato), Review of Scientific Instruments, Vol.74, pp.863-865 (2003).

２００２（平成１４）年

  • a-Si:H薄膜における光誘起体積変化　～ドーピング効果～ (吉田憲充, 野々村修一), 固体物理, Vol.37, No.12, pp.59-66 (2002).
  • Linear thermal expansion coefficients of amorphous and microcrystalline silicon films (K. Takimoto, A. Fukuta, Y. Yamamoto, N. Yoshida, T. Itoh S. Nonomura), Journal of Non-Crystalline Solids, Vol. 299-302, pp.314-317 (2002).
  • Photoinduced volume expansion and contraction in a-Si:H films (N. Yoshida, Y. Sobajima, H. Kamiguchi, T. Iida, T. Hatano, H. Mori, Y. Nakae, M. Itoh, A. Masuda, H. Matsumura, S. Nonomura), Journal of Non-Crystalline Solids, Vol. 299-302, pp.516-520 (2002).
  • Temperature Dependence of Absorption Coefficient Spectra for c-Si Films by Resonant Photothermal Bending Spectroscopy (T. Kunii, J. Kitao, N. Yoshida, S. Nonomura), Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 74, pp.415-420 (2002).
  • Photothermal deflection spectroscopy of chalcogenide glasses (K. Tanaka, T. Gotoh, N. Yoshida, S. Nonomura), J. Appl. Phys., Vol. 91, No. 1, pp.125-128 (2002).

２００１（平成１３）年

  • 水素化アモルファスシリコン薄膜の光劣化に関連する光誘起体積変化 (吉田憲充, 野々村修一), 電子情報通信学会論文誌, Vol.J84-C, No.7, pp.535-542 (2001).
  • Effect of RF-Plasma Assistance in Hot-Wire CVD on Properties of c-Si:H (T. Itoh, H. Inouchi, K. Ohkado, K. Chikusa, N. Nakamura, H. Kondo, N. Yoshida, S. Nonomura), Thin Solid Films, Vol.395, No.1-2, pp.217-220 (2001)..
  • Photoinduced volume change in a-Si:H films prepared by Cat-CVD method (T. Hatano, K. Ohkado, Y. Nakae, H. Mori, N. Yoshida, S. Nonomura, M. Itoh, A. Masuda, H. Matsumura), Thin Solid Films, Vol.395, No.1-2, pp.84-86 (2001).
  • Photoinduced effects on infrared and near infrared absorption of amorphous and microcrystalline Si measured by photothermal bending spectroscopy (J. Kitao, Y. Kasuya, T. Kunii, N. Yoshida, S. Nonomura), Analytical Sciences Special Issue, Vol.17, pp.s302-s304 (2001).
  • Role of hydrogen in hydrogenated microcrystalline silicon (T. Itoh, K. Yamamoto, H. Harada, N. Yamana, N. Yoshida, H. Inouchi, S. Nonomura, S. Nitta), Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol.66, pp.239-244 (2001).
  • Absorption coefficient spectra of c-Si in the low energy region 0.4 ～ 1.2 eV (J. Kitao, H. Harada, N. Yoshida, Y. Kasuya, M. Nishio, T. Sakamoto, T. Itoh, S. Nonomura, S. Nitta), Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol.66, pp.245-251 (2001).
  • The creation of hydrogen radicals by the hot-wire technique and it's application for c-Si:H (H. Harada, N. Yoshida, K. Yamamoto, T. Itoh, K. Inagaki, H. Inouchi, N. Yamana, T. Aoki, S. Nonomura, S. Nitta), Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol.66, pp.253-258 (2001).

２０００（平成１２）年

  • Effect of hydrogen radicals on properties of hydrogen in hydrogenated microcrystalline silicon (T. Itoh, N. Yamana, H. Inouchi, N. Yoshida, H. Harada, H. Kondo, K. Yamamoto, S. Nonomura, S. Nitta), Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.609, pp. A6.4.1-A.6.4.6 (2000).
  • Increase of hydrogen radical-density and improvement of the crystalline volume fraction of microcrystalline silicon films prepared by hot-wire assisted PECVD method (N. Yoshida, T. Itoh, H. Inouchi, H. Harada, K. Inagaki, N. Yamana, K. Yamamoto, S. Nonomura, S. Nitta), Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.609, pp. A19.3.1-A.19.3.6 (2000).
  • A study on the correlation between the photoinduced volume expansion and the internal stress in hydrogenated amorphous silicon (T. Sakamoto, N. Yoshida, H. Harada, T. Kishida, S. Nonomura, T. Gotoh, M. Kondo, A. Matsuda, T. Itoh, S. Nitta), Journal of Non-Crystalline Solids, Vol.266-269, pp.481-485 (2000).
  • The light induced metastable lattice expansion in hydrogenated morphous silicon (S. Nonomura, N. Yoshida, T. Gotoh, T. Sakamoto, M. Kondo, A. Matsuda, S. Nitta), Journal of Non-Crystalline Solids, Vol.266-269, pp.474-480 (2000).

１９９９（平成１１）年

  • Current topics of photoinduced metastabilities in amorphous semiconductors (K. Shimakawa, N. Yoshida, A. Ganjoo), Thin Film Materials and Devices - Developments in Science and Technology, ed. by J. M. Marshall, N. Kirov, A. Vavrek and J. M. Maud (World Scientific, 1999), pp. 21-28.
  • Kinetics of photoinduced defect creation in amorphous semiconductors: analogy to a logistic equation in a biological system (M. Senda, N. Yoshida, K. Shimakawa), Philosophical Magazine Letters, Vol.79, No.6, pp.375-381 (1999).
  • Photo-induced changes of a.c. transport in a-As2Se3 films: Role of defects and band tails (A. Ganjoo, K. Shimakawa, N. Yoshida, T. Ohno, A. V. Kolobov, Y. Ikeda), Physical Review B, Vol.59, No.23, pp.14856-14859 (1999).
  • Photoinduced changes on the structural and electronic properties of amorphous semiconductors (A. Ganjoo, N. Yoshida, K. Shimakawa), Recent Research Developments in Applied Physics, Vol.2, pp.129-150 (1999).
  • Reversible photoinduced changes of electronic transport in narrow-gap amorphous Sb2Se3 (T. Aoki, H. Shimada, H. Hirao, N. Yoshida, K. Shimakawa, S. R. Elliott), Physical Review B, Vol.59, No.3, pp.1579-1581 (1999).
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